Fysische Eigenschappen van Siliciumcarbide

Technische Parameter	Eenheid	Reactiegebonden Siliciumcarbide SiC	Gesinterd Silicium carbide SSiC	Reactiegebonden Siliciumcarbide met Grafiet SiC+C	Gesinterd Silicium carbide met Grafiet SSiC+C	Gesinterd Silicium carbide met Porie QSSiC+C
Hardheid	HS	110	115	≥ 105	≥ 110	≥ 100
Porositeit	%	< 0.3	< 0.2	< 0.5	< 0.5	< 5
Dichtheid	g/cm³	3.00-3.05	> 3.10	2.69-2.90	2.70-3.0	2.65
Druksterkte	MPa	> 2200	> 2500	> 1400	> 1600	> 800
Buigsterkte	MPa	> 350	> 380	> 150	> 160	> 100
Thermische Uitzettingscoëfficiënt	10⁻⁶/°C	4	4.2	3.5	3	2.5
Gehalte aan SiC	%	≥ 90	≥ 98	≥ 85	≥ 92	≥ 90
Vrij Si	%	≤ 10	≤ 1	≤ 12	/	/
Elasticiteitsmodulus	GPa	≥ 400	≥ 410	≥ 350	≥ 360	≥ 180
Temperatuur	°C	1300	1400	1300	1400	1400